产品特性:硅 | 品牌:长晶 | 型号:CJ3401 |
封装:SOT-23 | 批号:2024年6月 | 工作温度范围:-55度—+150度 |
安装类型:贴片 | 应用领域:***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备 | 最小包装:3000 |
库存:652132 | 最快交期:7天 | 发货地:深圳 |
长晶 CJ3401 是一款 P 沟道增强型场效应管(MOSFET),具有以下特性:
? 漏源电压(VDS):-30V;
? 栅源电压(VGS):±12V;
? 连续漏极电流(ID):-4.2A;
? 功率耗散(PD):400mW;
? 开态电阻(RDS(on)):较小,具体数值取决于栅源电压,如 RDS(on)≤68mΩ@VGS=-10V,RDS(on)≦80mΩ@VGS=-4.5V,RDS(on)≦100mΩ@VGS=-2.5V;
? 热阻(结到环境,t<5s,RθJA):313℃/W;
? 结温(Tj):150℃;
? 贮存温度(Tstg):-55℃至+150℃;
? 封装:SOT-23;
? 特点:采用高单元密度沟槽技术,具有极低的导通电阻;具备***导通电阻和直流电流能力;采用超高密度电池设计。
该场效应管适用于便携式设备、电池供电系统、负载开关、DC/DC 变换器等领域。其具体的特性参数可能会因生产批次等因素而有所差异,建议在使用前查阅相关的数据手册或咨询供应商,以确保其符合具体的应用需求。